Les JFETs - Distributeur de composants électroniques - Page 6

Fabricant

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics Corporation

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

Produits en vedette

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Numéro de pièce	Fabricant	Description	En stock	Quantité	Le paquet	Statut	Détails
AD8610ARMZ-REEL	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8MSOP	9000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
AD711JRZ	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC	2256	RFQ	Tube	Active	Détails
AD712JRZ	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	8575	RFQ	Tube	Active	Détails
LT1055S8#PBF	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SO	6472	RFQ	Tube	Active	Détails
AD820ARZ	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC	6638	RFQ	Tube	Active	Détails
AD820ARMZ	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8MSOP	2769	RFQ	Tube	Active	Détails
AD8513ARUZ-REEL	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14TSSOP	2500	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
LTC6268IS6#TRMPBF	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT TSOT23-6	11500	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
ADA4610-4ACPZ-R7	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 16LFCSP	1500	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Détails
OP482GSZ	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14SOIC	3261	RFQ	Tube	Active	Détails
AD8244ARMZ	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 10MSOP	1767	RFQ	Tube	Active	Détails
LT1793CS8#PBF	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SO	5544	RFQ	Tube	Active	Détails

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Les JFETs

Les transistors à effet de champ de jonction (JFET) sont des dispositifs utilisés en tant que commutateurs de commande électronique, amplificateurs ou résistances de compression. La différence de potentiel électrique appliquée aux pôles appropriés entre la porte et la borne source augmente la résistance au courant, ce qui signifie que moins de courant circulera dans le canal entre la borne source et la borne de fuite. Étant donné que la charge coule dans le canal de semi-conducteur entre les bornes source et de fuite, les JFETs n'ont pas besoin de courant biaisé.